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Luz 管理员
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89860 篇文章 33 次评论多选题：下列关于DRAM刷新的描述中，正确的是（ ） *
下列关于DRAM刷新的描述中，正确的是（ ） *@[BCD](2)A. 刷新地址可由CPU给出B. 集中刷新虽然保持了存储单体的高速特性，但存在死时间C. 异步刷新方式既保持了存储单体的高速特性，也不存在死时间D. 分散刷新由于刷…
多选题：某计算机按字节编址，数据按整数边界存放，可通过设置使其采用小端方式或大端方式，有一个float 型变量的地址为 FFFF C00
某计算机按字节编址，数据按整数边界存放，可通过设置使其采用小端方式或大端方式，有一个float 型变量的地址为 FFFF C000H ,数据 X = 12345678H，无论采用大端还是小段方式，在内存单元 FFFF C001H，一定不会存…
多选题：下列关于Cache结构的描述中正确的是 （ ) *
下列关于Cache结构的描述中正确的是 （ ) *@[ABCD](2)A. 标记存储体存放从主存地址中剥离出的标记(Tag)B. 数据存储体存放与主存交换的数据C. 有效位(Valid)用于判断Cache的数据是否有效D. 脏位…
多选题：下列关于Cache的描述中正确的是 （ ） *
下列关于Cache的描述中正确的是 （ ） *@[ABCD](2)A. 缓解快速CPU与慢速主存之间的速度差异B. 实现Cache目标的理论基础是局部性原理C. 在存储体系中，Cache处于CPU和主存之间D. Cache的写穿策…
多选题：下列关于RAM和ROM的叙述中，正确的是( ) *
下列关于RAM和ROM的叙述中，正确的是( ) *@[AB](2)A. RAM是易失性存储器，ROM是非失性存储器B. RAM和ROM都是采用随机存取的方式进行访问C. RAM和ROM都可做CacheD. ROM和RAM都不需要刷新…
多选题：下列关于动态存储器的描述中，正确的是 （ ) *
下列关于动态存储器的描述中，正确的是 （ ) *@[ABCD](2)A. 读操作也具有刷新功能B. DRAM 比相同工艺的SRAM要慢C. 某DRAM芯片地址引脚数据为12根，则其容量为16MD. 根据DRAM 的工作原理可知，相同…
多选题：下列关于存储字长的描述中正确的是（ ） *
下列关于存储字长的描述中正确的是（ ） *@[AD](2)A. 主存一个单元能存储的二进制位数的最大值B. 存储字长与所存放的数据类型有关C. 存储字长等于存储在主存中数据类型包含的二进制位数D. 存储字长一般应是字节的整数倍…
多选题：不需要定时刷新的半导体存储器芯片是( ) *
不需要定时刷新的半导体存储器芯片是( ) *@[ABC](2)A. SRAMB. EPROMC. Flash MemoryD. DRAMA.SRAMB.EPROMC.Flash MemoryD.DRAM答案：A B C…
多选题：下列关于使用TLB的虚实地址转换过程的描述中，错误的是 （ ） *
下列关于使用TLB的虚实地址转换过程的描述中，错误的是 （ ） *@[AC](2)A. CPU基于虚地址访问TLBB. 在虚实地址转换过程中，可能更新TLBC. TLB命中后其直接输出物理地址D. TLB的功能由硬件实现A.CP…
多选题：设存储字长为64位,对 char 变量长度为8位，数据存储按整数边界对齐，关于char 变量 j 在主存中地址的下列描述中正确
设存储字长为64位,对 char 变量长度为8位，数据存储按整数边界对齐，关于char 变量 j 在主存中地址的下列描述中正确的是（ ）。 *@[ABCD](2)A. j的物理地址 mod 8 = 0 B. j的物理地址 mo…